Impianto Stm a Catania: Fim Cisl, finalmente un provvedimento concreto dell’UE

L’attesa notizia della realizzazione dell’impianto di produttivo per la costruzione di un impianto di wafer in Carburo di Silicio (“SiC”) a Catania è arrivata questa mattina.

La direzione nazionale di STMicroelectronics ha comunicato che la Commissione Europea ha approvato, ai sensi delle norme Ue sugli aiuti di Stato, la sovvenzione diretta di 292,5 milioni di euro a sostegno di 730 milioni di euro che l’azienda impiegherà per la realizzazione del “progetto Sic” con l’assunzione diretta di 700 persone.

“E’ una notizia che attendevamo da tempo – sottolinea Pietro Nicastro Segretario Generale della Fim Cisl della Sicilia -. Per il territorio di Catania rappresenta un riconoscimento importante che conferma il ruolo strategico del sito produttivo non solo per la STMicroelectronics ma per l’intero comparto dei semiconduttori in Europa. I previsti 700 nuovi posti di lavoro dovranno principalmente coinvolgere i giovani del territorio. Auspichiamo che le collaborazioni di ricerca e formazione con l’ Università e gli istituiti tecnici aumentino per qualificare le competenze dei lavoratori e diventare un polo di eccellenza per tutto il paese.“

Il processo di produzione del semiconduttore si completerà, infatti nello stesso stabilimento si realizzerà l’intera catena del valore del substrato di SiC, dalla produzione della materia prima (“carburo di silicio”) alla fabbricazione dei wafer di SiC.

“ Finalmente un provvedimento concreto della Comunità Europa, – sostiene Massimiliano Nobis segretario nazionale della Fim Cisl – il primo sul nostro paese dopo l’annuncio piano 2030 Digital Compass, che si propone di produrre in Europa un quinto dei chip del fabbisogno mondiale entro la fine del decennio con investimento complessivo di 20 miliardi di euro. E’ un provvedimento che sostiene i processi legati alla transizione verde e che pone attenzione all’occupazione. Ci attendiamo altri provvedimenti a sostegno dell’industria dei Chip nel nostro Paese”.